TK8A45DA(STA4,Q,M) - Toshiba Semiconductor and Storage

Artikelnummer	TK8A45DA(STA4,Q,M)
Teilstatus	Active
FET Typ	N-Channel
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain auf Source-Spannung (Vdss)	450V
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C	7.5A (Tc)
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein)	-
Vgs (th) (Max) @ Id	-
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs	-
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds	-
Vgs (Max)	-
FET-Eigenschaft	-
Verlustleistung (Max)	-
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs	-
Betriebstemperatur	-
Befestigungsart	Through Hole
Lieferantengerätepaket	TO-220SIS
Paket / Fall	TO-220-3 Full Pack
Gewicht	-
Ursprungsland	-

Bild	Artikelnummer	Hersteller	Beschreibung	Aussicht
	TK8A45D(STA4,Q,M)	Toshiba Semiconductor and Storage	MOSFET N-CH 450V 8A TO-220SIS	Einzelheiten
	TK8A45DA(STA4,Q,M)	Toshiba Semiconductor and Storage	MOSFET N-CH 450V 7.5A TO-220SIS	Einzelheiten