TK4R3A06PL,S4X - Toshiba Semiconductor and Storage

Artikelnummer	TK4R3A06PL,S4X
Teilstatus	Active
FET Typ	N-Channel
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain auf Source-Spannung (Vdss)	60V
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C	68A
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein)	4.5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2.5V @ 500µA
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs	48.2nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds	3280pF @ 30V
Vgs (Max)	±20V
FET-Eigenschaft	-
Verlustleistung (Max)	36W (Tc)
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs	7.2 mOhm @ 15A, 4.5V
Betriebstemperatur	175°C (TJ)
Befestigungsart	Surface Mount
Lieferantengerätepaket	TO-220SIS
Paket / Fall	TO-220-3 Full Pack
Gewicht	-
Ursprungsland	-

Bild	Artikelnummer	Hersteller	Beschreibung	Aussicht
	TK4R3A06PL,S4X	Toshiba Semiconductor and Storage	X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR	Einzelheiten
	TK4R3E06PL,S1X	Toshiba Semiconductor and Storage	X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR	Einzelheiten