TK40A06N1,S4X - Toshiba Semiconductor and Storage

Artikelnummer	TK40A06N1,S4X
Teilstatus	Active
FET Typ	N-Channel
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain auf Source-Spannung (Vdss)	60V
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C	40A (Tc)
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein)	10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 300µA
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs	23nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds	1700pF @ 30V
Vgs (Max)	±20V
FET-Eigenschaft	-
Verlustleistung (Max)	30W (Tc)
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs	10.4 mOhm @ 20A, 10V
Betriebstemperatur	150°C (TJ)
Befestigungsart	Through Hole
Lieferantengerätepaket	TO-220SIS
Paket / Fall	TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Gewicht	-
Ursprungsland	-

Bild	Artikelnummer	Hersteller	Beschreibung	Aussicht
	TK40A06N1,S4X	Toshiba Semiconductor and Storage	MOSFET N-CH 60V 60A TO220SIS	Einzelheiten
	TK40A10N1,S4X	Toshiba Semiconductor and Storage	MOSFET N-CH 100V 40A TO-220	Einzelheiten