TK32E12N1,S1X - Toshiba Semiconductor and Storage

Artikelnummer	TK32E12N1,S1X
Teilstatus	Active
FET Typ	N-Channel
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain auf Source-Spannung (Vdss)	120V
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C	60A (Tc)
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein)	10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 500µA
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs	34nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds	2000pF @ 60V
Vgs (Max)	±20V
FET-Eigenschaft	-
Verlustleistung (Max)	98W (Tc)
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs	13.8 mOhm @ 16A, 10V
Betriebstemperatur	150°C (TJ)
Befestigungsart	Through Hole
Lieferantengerätepaket	TO-220
Paket / Fall	TO-220-3
Gewicht	-
Ursprungsland	-