TK31N60W5,S1VF - Toshiba Semiconductor and Storage

Artikelnummer	TK31N60W5,S1VF
Teilstatus	Active
FET Typ	N-Channel
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain auf Source-Spannung (Vdss)	600V
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C	30.8A (Ta)
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein)	10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4.5V @ 1.5mA
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs	105nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds	3000pF @ 300V
Vgs (Max)	±30V
FET-Eigenschaft	-
Verlustleistung (Max)	230W (Tc)
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs	99 mOhm @ 15.4A, 10V
Betriebstemperatur	150°C (TJ)
Befestigungsart	Through Hole
Lieferantengerätepaket	TO-247
Paket / Fall	TO-247-3
Gewicht	-
Ursprungsland	-

Artikelnummer	Hersteller	Beschreibung	Aussicht
TK31N60W,S1VF	Toshiba Semiconductor and Storage	MOSFET N CH 600V 30.8A TO247	Einzelheiten
TK31N60W5,S1VF	Toshiba Semiconductor and Storage	MOSFET N-CH 600V 30.8A TO-247	Einzelheiten
TK31N60X,S1F	Toshiba Semiconductor and Storage	MOSFET N-CH 600V 30.8A TO-247	Einzelheiten