TK31A60W,S4VX

TK31A60W,S4VX - Toshiba Semiconductor and Storage

Artikelnummer
TK31A60W,S4VX
Hersteller
Toshiba Semiconductor and Storage
Kurze Beschreibung
MOSFET N-CH 600V 30.8A TO-220SIS
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
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Kategorie
Transistoren - FETs, MOSFET - Einzeln
Lieferzeit
1 Day
Datumscode
New
Bestandsmenge
4040 pcs
Referenzpreis
USD 6.7424/pcs
Unser Preis
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TK31A60W,S4VX detaillierte Beschreibung

Artikelnummer TK31A60W,S4VX
Teilstatus Active
FET Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain auf Source-Spannung (Vdss) 600V
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C 30.8A (Ta)
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein) 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 3.7V @ 1.5mA
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs 86nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 3000pF @ 300V
Vgs (Max) ±30V
FET-Eigenschaft Super Junction
Verlustleistung (Max) 45W (Tc)
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs 88 mOhm @ 15.4A, 10V
Betriebstemperatur 150°C (TJ)
Befestigungsart Through Hole
Lieferantengerätepaket TO-220SIS
Paket / Fall TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Gewicht -
Ursprungsland -

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