TK290P65Y,RQ - Toshiba Semiconductor and Storage

Artikelnummer	TK290P65Y,RQ
Teilstatus	Active
FET Typ	N-Channel
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain auf Source-Spannung (Vdss)	650V
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C	11.5A (Tc)
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein)	10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 450µA
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs	25nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds	730pF @ 300V
Vgs (Max)	±30V
FET-Eigenschaft	-
Verlustleistung (Max)	100W (Tc)
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs	290 mOhm @ 5.8A, 10V
Betriebstemperatur	150°C (TJ)
Befestigungsart	Surface Mount
Lieferantengerätepaket	DPAK
Paket / Fall	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Gewicht	-
Ursprungsland	-

Artikelnummer	Hersteller	Beschreibung	Aussicht
TK290A60Y,S4X	Toshiba Semiconductor and Storage	MOSFET TRANSISTOR TO-220SIS PD	Einzelheiten
TK290A65Y,S4X	Toshiba Semiconductor and Storage	MOSFET TRANSISTOR TO-220SIS PD	Einzelheiten
TK290P60Y,RQ	Toshiba Semiconductor and Storage	MOSFET TRANSISTOR DPAK(OS) PD	Einzelheiten
TK290P65Y,RQ	Toshiba Semiconductor and Storage	MOSFET TRANSISTOR DPAK(OS) PD	Einzelheiten