TK16C60W,S1VQ - Toshiba Semiconductor and Storage

Artikelnummer	TK16C60W,S1VQ
Teilstatus	Active
FET Typ	N-Channel
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain auf Source-Spannung (Vdss)	600V
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C	15.8A (Ta)
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein)	10V
Vgs (th) (Max) @ Id	3.7V @ 790µA
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs	38nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds	1350pF @ 300V
Vgs (Max)	±30V
FET-Eigenschaft	-
Verlustleistung (Max)	130W (Tc)
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs	190 mOhm @ 7.9A, 10V
Betriebstemperatur	150°C (TJ)
Befestigungsart	Through Hole
Lieferantengerätepaket	I2PAK
Paket / Fall	TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Gewicht	-
Ursprungsland	-