TK15A60U(STA4,Q,M) - Toshiba Semiconductor and Storage

Artikelnummer	TK15A60U(STA4,Q,M)
Teilstatus	Active
FET Typ	N-Channel
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain auf Source-Spannung (Vdss)	600V
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C	15A (Ta)
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein)	10V
Vgs (th) (Max) @ Id	5V @ 1mA
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs	17nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds	950pF @ 10V
Vgs (Max)	±30V
FET-Eigenschaft	-
Verlustleistung (Max)	40W (Tc)
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs	300 mOhm @ 7.5A, 10V
Betriebstemperatur	150°C (TJ)
Befestigungsart	Through Hole
Lieferantengerätepaket	TO-220SIS
Paket / Fall	TO-220-3 Full Pack
Gewicht	-
Ursprungsland	-

Artikelnummer	Hersteller	Beschreibung	Aussicht
TK15A60D	TOS	TK15A60D TOS TO-220.. New Original Stocks	Einzelheiten
TK15A60D(STA4,Q,M)	Toshiba Semiconductor and Storage	MOSFET N-CH 600V 15A TO-220SIS	Einzelheiten
TK15A60U	TOS	TK15A60U TOS TO-220.. New Original Stocks	Einzelheiten
TK15A60U(STA4,Q,M)	Toshiba Semiconductor and Storage	MOSFET N-CH 600V 15A TO-220SIS	Einzelheiten