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Zuhause › Produktkategorien › Diskrete Halbleiterprodukte › Transistoren - FETs, MOSFET - Einzeln › TK13A50DA(STA4,Q,M
TK13A50DA(STA4,Q,M

TK13A50DA(STA4,Q,M - Toshiba Semiconductor and Storage

Artikelnummer
TK13A50DA(STA4,Q,M
Hersteller
Toshiba Semiconductor and Storage
Kurze Beschreibung
MOSFET N-CH 500V 12.5A TO-220SIS
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt Online-Ansicht
TK13A50DA(STA4,Q,M PDF-Online-Browsing
Datenblatt PDF herunterladen
-
Kategorie
Transistoren - FETs, MOSFET - Einzeln
Lieferzeit
1 Day
Datumscode
New
Bestandsmenge
10821 pcs
Referenzpreis
USD 2.4036/pcs
Unser Preis
Senden Sie per E-Mail: [email protected]

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TK13A50DA(STA4,Q,M detaillierte Beschreibung

Artikelnummer TK13A50DA(STA4,Q,M
Teilstatus Active
FET Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain auf Source-Spannung (Vdss) 500V
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C 12.5A (Ta)
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein) 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 1mA
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs 28nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1550pF @ 25V
Vgs (Max) ±30V
FET-Eigenschaft -
Verlustleistung (Max) 45W (Tc)
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs 470 mOhm @ 6.3A, 10V
Betriebstemperatur 150°C (TJ)
Befestigungsart Through Hole
Lieferantengerätepaket TO-220SIS
Paket / Fall TO-220-3 Full Pack
Gewicht -
Ursprungsland -

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Bild Artikelnummer Hersteller Beschreibung Aussicht
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