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Zuhause › Produktkategorien › Diskrete Halbleiterprodukte › Transistoren - FETs, MOSFET - Einzeln › TK11A65W,S5X
TK11A65W,S5X

TK11A65W,S5X - Toshiba Semiconductor and Storage

Artikelnummer
TK11A65W,S5X
Hersteller
Toshiba Semiconductor and Storage
Kurze Beschreibung
MOSFET N-CH 650V 11.1A TO-220
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt Online-Ansicht
TK11A65W,S5X PDF-Online-Browsing
Datenblatt PDF herunterladen
-
Kategorie
Transistoren - FETs, MOSFET - Einzeln
Lieferzeit
1 Day
Datumscode
New
Bestandsmenge
242 pcs
Referenzpreis
USD 2.26/pcs
Unser Preis
Senden Sie per E-Mail: [email protected]

Bitte füllen Sie das folgende Formular aus, um ein Angebot für anzufordern TK11A65W,S5X

TK11A65W,S5X detaillierte Beschreibung

Artikelnummer TK11A65W,S5X
Teilstatus Active
FET Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain auf Source-Spannung (Vdss) 650V
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C 11.1A (Ta)
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein) 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 3.5V @ 450µA
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs 25nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 890pF @ 300V
Vgs (Max) ±30V
FET-Eigenschaft -
Verlustleistung (Max) 35W (Tc)
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs 390 mOhm @ 5.5A, 10V
Betriebstemperatur 150°C (TJ)
Befestigungsart Through Hole
Lieferantengerätepaket TO-220SIS
Paket / Fall TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Gewicht -
Ursprungsland -

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