TH58NYG3S0HBAI6

TH58NYG3S0HBAI6 - Toshiba Semiconductor and Storage

Artikelnummer
TH58NYG3S0HBAI6
Hersteller
Toshiba Semiconductor and Storage
Kurze Beschreibung
IC EEPROM 8GBIT 25NS 67VFBGA
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
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Kategorie
Speicher
Lieferzeit
1 Day
Datumscode
New
Bestandsmenge
3795 pcs
Referenzpreis
USD 0/pcs
Unser Preis
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TH58NYG3S0HBAI6 detaillierte Beschreibung

Artikelnummer TH58NYG3S0HBAI6
Teilstatus Active
Speichertyp Non-Volatile
Speicherformat EEPROM
Technologie EEPROM - NAND
Speichergröße 8Gb (1G x 8)
Taktfrequenz -
Schreibe Zykluszeit - Wort, Seite 25ns
Zugriffszeit 25ns
Speicherschnittstelle Parallel
Spannungsversorgung 1.7 V ~ 1.95 V
Betriebstemperatur -40°C ~ 85°C (TA)
Befestigungsart Surface Mount
Paket / Fall 67-VFBGA
Lieferantengerätepaket 67-VFBGA (6.5x8)
Gewicht -
Ursprungsland -

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