TBC847B,LM - Toshiba Semiconductor and Storage

Artikelnummer	TBC847B,LM
Teilstatus	Active
Transistor-Typ	NPN
Aktuell - Sammler (Ic) (Max)	150mA
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.)	50V
Vce Sättigung (Max) @ Ib, Ic	400mV @ 100mA, 5mA
Aktuell - Kollektor Cutoff (Max)	30nA (ICBO)
Gleichstromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce	200 @ 2mA, 5V
Leistung max	320mW
Frequenz - Übergang	100MHz
Betriebstemperatur	150°C (TJ)
Befestigungsart	Surface Mount
Paket / Fall	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Lieferantengerätepaket	SOT-23
Gewicht	-
Ursprungsland	-

Artikelnummer	Hersteller	Beschreibung	Aussicht
TBC847B,LM	Toshiba Semiconductor and Storage	X34 PB-F SOT-23 TRANSISTOR FOR L	Einzelheiten
TBC857-B	TOSHIBA	TBC857-B TOSHIBA SOT23 New Original Stocks	Einzelheiten
TBC857B,LM	Toshiba Semiconductor and Storage	X34 PB-F SOT-23 TRANSISTOR FOR L	Einzelheiten
TBC858-C	TOSHIBA	TBC858-C TOSHIBA SOT23 New Original Stocks	Einzelheiten