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Zuhause › Produktkategorien › Diskrete Halbleiterprodukte › Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays › SSM6N357R,LF
SSM6N357R,LF

SSM6N357R,LF - Toshiba Semiconductor and Storage

Artikelnummer
SSM6N357R,LF
Hersteller
Toshiba Semiconductor and Storage
Kurze Beschreibung
SMALL LOW R-ON MOSFETS DUAL NCH
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt Online-Ansicht
SSM6N357R,LF PDF-Online-Browsing
Datenblatt PDF herunterladen
-
Kategorie
Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays
Lieferzeit
1 Day
Datumscode
New
Bestandsmenge
1180287 pcs
Referenzpreis
USD 0.1395/pcs
Unser Preis
Senden Sie per E-Mail: [email protected]

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SSM6N357R,LF detaillierte Beschreibung

Artikelnummer SSM6N357R,LF
Teilstatus Active
FET Typ 2 N-Channel (Dual)
FET-Eigenschaft Standard
Drain auf Source-Spannung (Vdss) 60V
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C 650mA (Ta)
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs 1.8 Ohm @ 150mA, 5V
Vgs (th) (Max) @ Id 2V @ 1mA
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs 1.5nC @ 5V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 60pF @ 12V
Leistung max 1.5W (Ta)
Betriebstemperatur 150°C
Befestigungsart Surface Mount
Paket / Fall 6-SMD, Flat Leads
Lieferantengerätepaket 6-TSOP-F
Gewicht -
Ursprungsland -

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