SSM6K514NU,LF - Toshiba Semiconductor and Storage

Artikelnummer	SSM6K514NU,LF
Teilstatus	Active
FET Typ	N-Channel
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain auf Source-Spannung (Vdss)	40V
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C	12A (Ta)
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein)	4.5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2.4V @ 100µA
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs	7.5nC @ 4.5V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds	1110pF @ 20V
Vgs (Max)	±20V
FET-Eigenschaft	-
Verlustleistung (Max)	2.5W (Ta)
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs	11.6 mOhm @ 4A, 10V
Betriebstemperatur	150°C
Befestigungsart	Surface Mount
Lieferantengerätepaket	6-UDFNB (2x2)
Paket / Fall	6-WDFN Exposed Pad
Gewicht	-
Ursprungsland	-

Artikelnummer	Hersteller	Beschreibung	Aussicht
SSM6K06FU	TOS	SSM6K06FU TOS SC70-6 New Original Stocks	Einzelheiten
SSM6K07FU	TOS	SSM6K07FU TOS SOT-23 New Original Stocks	Einzelheiten
SSM6K08FU	TOSHIBA	SSM6K08FU TOSHIBA SOT-6 New Original Stocks	Einzelheiten
SSM6K18TU	TOS	SSM6K18TU TOS UF6 New Original Stocks	Einzelheiten
SSM6K202FE,LF	Toshiba Semiconductor and Storage	MOSFET N-CH 30V 2.3A ES6	Einzelheiten
SSM6K204FE,LF	Toshiba Semiconductor and Storage	MOSFET N-CH 30V ES6	Einzelheiten
SSM6K211FE,LF	Toshiba Semiconductor and Storage	MOSFET N-CH 20V 3.2A ES6	Einzelheiten
SSM6K217FE,LF	Toshiba Semiconductor and Storage	MOSFET N-CH 40V 1.8A ES6	Einzelheiten
SSM6K24FE	TOSHIBA	SSM6K24FE TOSHIBA SOT-66.. New Original Stocks	Einzelheiten
SSM6K341NU,LF	Toshiba Semiconductor and Storage	MOSFET N-CH 60V 6A 6-UDFNB	Einzelheiten