SSM6K513NU,LF - Toshiba Semiconductor and Storage

Artikelnummer	SSM6K513NU,LF
Teilstatus	Active
FET Typ	N-Channel
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain auf Source-Spannung (Vdss)	30V
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C	15A (Ta)
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein)	4.5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2.1V @ 100µA
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs	7.5nC @ 4.5V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds	1130pF @ 15V
Vgs (Max)	±20V
FET-Eigenschaft	-
Verlustleistung (Max)	1.25W (Ta)
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs	8.9 mOhm @ 4A, 10V
Betriebstemperatur	150°C (TA)
Befestigungsart	Surface Mount
Lieferantengerätepaket	6-UDFNB (2x2)
Paket / Fall	6-WDFN Exposed Pad
Gewicht	-
Ursprungsland	-

Artikelnummer	Hersteller	Beschreibung	Aussicht
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