SSM6K403TU,LF - Toshiba Semiconductor and Storage

Artikelnummer	SSM6K403TU,LF
Teilstatus	Active
FET Typ	N-Channel
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain auf Source-Spannung (Vdss)	20V
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C	4.2A (Ta)
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein)	1.5V, 4V
Vgs (th) (Max) @ Id	1V @ 1mA
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs	16.8nC @ 4V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds	1050pF @ 10V
Vgs (Max)	±10V
FET-Eigenschaft	-
Verlustleistung (Max)	500mW (Ta)
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs	28 mOhm @ 3A, 4V
Betriebstemperatur	150°C (TJ)
Befestigungsart	Surface Mount
Lieferantengerätepaket	UF6
Paket / Fall	6-SMD, Flat Leads
Gewicht	-
Ursprungsland	-

Artikelnummer	Hersteller	Beschreibung	Aussicht
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