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Zuhause › Produktkategorien › Diskrete Halbleiterprodukte › Transistoren - FETs, MOSFET - Einzeln › SSM3K36MFV,L3F
SSM3K36MFV,L3F

SSM3K36MFV,L3F - Toshiba Semiconductor and Storage

Artikelnummer
SSM3K36MFV,L3F
Hersteller
Toshiba Semiconductor and Storage
Kurze Beschreibung
MOSFET N-CH 20V 500MA VESM
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt Online-Ansicht
SSM3K36MFV,L3F PDF-Online-Browsing
Datenblatt PDF herunterladen
-
Kategorie
Transistoren - FETs, MOSFET - Einzeln
Lieferzeit
1 Day
Datumscode
New
Bestandsmenge
160000 pcs
Referenzpreis
USD 0.0693/pcs
Unser Preis
Senden Sie per E-Mail: [email protected]

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SSM3K36MFV,L3F detaillierte Beschreibung

Artikelnummer SSM3K36MFV,L3F
Teilstatus Active
FET Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain auf Source-Spannung (Vdss) 20V
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C 500mA (Ta)
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein) 1.5V, 5V
Vgs (th) (Max) @ Id 1V @ 1mA
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs 1.23nC @ 4V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 46pF @ 10V
Vgs (Max) ±10V
FET-Eigenschaft -
Verlustleistung (Max) 150mW (Ta)
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs 630 mOhm @ 200mA, 5V
Betriebstemperatur 150°C (TJ)
Befestigungsart Surface Mount
Lieferantengerätepaket VESM
Paket / Fall SOT-723
Gewicht -
Ursprungsland -

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