SSM3J338R,LF

SSM3J338R,LF - Toshiba Semiconductor and Storage

Artikelnummer
SSM3J338R,LF
Hersteller
Toshiba Semiconductor and Storage
Kurze Beschreibung
MOSFET P-CH 12V 6A SOT23F
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
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Kategorie
Transistoren - FETs, MOSFET - Einzeln
Lieferzeit
1 Day
Datumscode
New
Bestandsmenge
238705 pcs
Referenzpreis
USD 0.1089/pcs
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SSM3J338R,LF detaillierte Beschreibung

Artikelnummer SSM3J338R,LF
Teilstatus Active
FET Typ P-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain auf Source-Spannung (Vdss) 12V
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C 6A (Ta)
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein) 1.8V, 8V
Vgs (th) (Max) @ Id 1V @ 1mA
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs 19.5nC @ 4.5V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1400pF @ 6V
Vgs (Max) ±10V
FET-Eigenschaft -
Verlustleistung (Max) 1W (Ta)
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs 17.6 mOhm @ 6A, 8V
Betriebstemperatur 150°C (TJ)
Befestigungsart Surface Mount
Lieferantengerätepaket SOT-23F
Paket / Fall SOT-23-3 Flat Leads
Gewicht -
Ursprungsland -

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