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Zuhause › Produktkategorien › Diskrete Halbleiterprodukte › Transistoren - FETs, MOSFET - Einzeln › SSM3J304T(TE85L,F)
SSM3J304T(TE85L,F)

SSM3J304T(TE85L,F) - Toshiba Semiconductor and Storage

Artikelnummer
SSM3J304T(TE85L,F)
Hersteller
Toshiba Semiconductor and Storage
Kurze Beschreibung
MOSFET P-CH 20V 2.3A TSM
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt Online-Ansicht
SSM3J304T(TE85L,F) PDF-Online-Browsing
Datenblatt PDF herunterladen
-
Kategorie
Transistoren - FETs, MOSFET - Einzeln
Lieferzeit
1 Day
Datumscode
New
Bestandsmenge
7500 pcs
Referenzpreis
USD 0.097/pcs
Unser Preis
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SSM3J304T(TE85L,F) detaillierte Beschreibung

Artikelnummer SSM3J304T(TE85L,F)
Teilstatus Obsolete
FET Typ P-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain auf Source-Spannung (Vdss) 20V
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C 2.3A (Ta)
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein) 1.8V, 4V
Vgs (th) (Max) @ Id -
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs 6.1nC @ 4V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 335pF @ 10V
Vgs (Max) ±8V
FET-Eigenschaft -
Verlustleistung (Max) 700mW (Ta)
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs 127 mOhm @ 1A, 4V
Betriebstemperatur 150°C (TJ)
Befestigungsart Surface Mount
Lieferantengerätepaket TSM
Paket / Fall TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Gewicht -
Ursprungsland -

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