RN49A2,LF(CT - Toshiba Semiconductor and Storage

Artikelnummer	RN49A2,LF(CT
Teilstatus	Active
Transistor-Typ	1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Aktuell - Sammler (Ic) (Max)	100mA
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.)	50V
Widerstand - Basis (R1) (Ohm)	47k
Widerstand - Emitter Basis (R2) (Ohm)	47k
Gleichstromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce	80 @ 10mA, 5V
Vce Sättigung (Max) @ Ib, Ic	300mV @ 250µA, 5mA
Aktuell - Kollektor Cutoff (Max)	100µA (ICBO)
Frequenz - Übergang	250MHz, 200MHz
Leistung max	200mW
Befestigungsart	Surface Mount
Paket / Fall	6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Lieferantengerätepaket	US6
Gewicht	-
Ursprungsland	-

Artikelnummer	Hersteller	Beschreibung	Aussicht
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RN4901(T5L,F,T)	Toshiba Semiconductor and Storage	TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.2W US6	Einzelheiten
RN4901,LF	Toshiba Semiconductor and Storage	TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.2W US6	Einzelheiten
RN4901,LF(CT	Toshiba Semiconductor and Storage	TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.2W US6	Einzelheiten
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RN4902,LF	Toshiba Semiconductor and Storage	TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.2W US6	Einzelheiten
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RN4903(T5L,F,T)	Toshiba Semiconductor and Storage	TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.2W US6	Einzelheiten