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Zuhause › Produktkategorien › Diskrete Halbleiterprodukte › Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, mit Vorspannung › RN2969(TE85L,F)
RN2969(TE85L,F)

RN2969(TE85L,F) - Toshiba Semiconductor and Storage

Artikelnummer
RN2969(TE85L,F)
Hersteller
Toshiba Semiconductor and Storage
Kurze Beschreibung
TRANS 2PNP PREBIAS 0.2W US6
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt Online-Ansicht
RN2969(TE85L,F) PDF-Online-Browsing
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-
Kategorie
Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, mit Vorspannung
Lieferzeit
1 Day
Datumscode
New
Bestandsmenge
7500 pcs
Referenzpreis
USD 0.0882/pcs
Unser Preis
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RN2969(TE85L,F) detaillierte Beschreibung

Artikelnummer RN2969(TE85L,F)
Teilstatus Active
Transistor-Typ 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Aktuell - Sammler (Ic) (Max) 100mA
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.) 50V
Widerstand - Basis (R1) (Ohm) 47k
Widerstand - Emitter Basis (R2) (Ohm) 22k
Gleichstromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce 70 @ 10mA, 5V
Vce Sättigung (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 250µA, 5mA
Aktuell - Kollektor Cutoff (Max) 100nA (ICBO)
Frequenz - Übergang 200MHz
Leistung max 200mW
Befestigungsart Surface Mount
Paket / Fall SC-101, SOT-883
Lieferantengerätepaket US6
Gewicht -
Ursprungsland -

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Bild Artikelnummer Hersteller Beschreibung Aussicht
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RN2963FE(TE85L,F) RN2963FE(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ES6 Einzelheiten
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