RN2969(TE85L,F) - Toshiba Semiconductor and Storage

Artikelnummer	RN2969(TE85L,F)
Teilstatus	Active
Transistor-Typ	2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Aktuell - Sammler (Ic) (Max)	100mA
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.)	50V
Widerstand - Basis (R1) (Ohm)	47k
Widerstand - Emitter Basis (R2) (Ohm)	22k
Gleichstromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce	70 @ 10mA, 5V
Vce Sättigung (Max) @ Ib, Ic	300mV @ 250µA, 5mA
Aktuell - Kollektor Cutoff (Max)	100nA (ICBO)
Frequenz - Übergang	200MHz
Leistung max	200mW
Befestigungsart	Surface Mount
Paket / Fall	SC-101, SOT-883
Lieferantengerätepaket	US6
Gewicht	-
Ursprungsland	-

Artikelnummer	Hersteller	Beschreibung	Aussicht
RN2961(TE85L,F)	Toshiba Semiconductor and Storage	TRANS 2PNP PREBIAS 0.2W US6	Einzelheiten
RN2961FE(TE85L,F)	Toshiba Semiconductor and Storage	TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ES6	Einzelheiten
RN2962(TE85L,F)	Toshiba Semiconductor and Storage	TRANS 2PNP PREBIAS 0.2W US6	Einzelheiten
RN2962FE(TE85L,F)	Toshiba Semiconductor and Storage	TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ES6	Einzelheiten
RN2963(TE85L,F)	Toshiba Semiconductor and Storage	TRANS 2PNP PREBIAS 0.2W US6	Einzelheiten
RN2963FE(TE85L,F)	Toshiba Semiconductor and Storage	TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ES6	Einzelheiten
RN2964(TE85L,F)	Toshiba Semiconductor and Storage	TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W US6	Einzelheiten
RN2964FE(TE85L,F)	Toshiba Semiconductor and Storage	TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ES6	Einzelheiten
RN2965(TE85L,F)	Toshiba Semiconductor and Storage	TRANS 2PNP PREBIAS 0.2W US6	Einzelheiten
RN2965FE(TE85L,F)	Toshiba Semiconductor and Storage	TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ES6	Einzelheiten