RN2905T5LFT - Toshiba Semiconductor and Storage

Artikelnummer	RN2905T5LFT
Teilstatus	Active
Transistor-Typ	2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Aktuell - Sammler (Ic) (Max)	100mA
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.)	50V
Widerstand - Basis (R1) (Ohm)	2.2k
Widerstand - Emitter Basis (R2) (Ohm)	47k
Gleichstromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce	80 @ 10mA, 5V
Vce Sättigung (Max) @ Ib, Ic	300mV @ 250µA, 5mA
Aktuell - Kollektor Cutoff (Max)	100nA (ICBO)
Frequenz - Übergang	200MHz
Leistung max	200mW
Befestigungsart	Surface Mount
Paket / Fall	6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Lieferantengerätepaket	US6
Gewicht	-
Ursprungsland	-

Artikelnummer	Hersteller	Beschreibung	Aussicht
RN2901	TOSHIBA	RN2901 TOSHIBA SOIT36.. New Original Stocks	Einzelheiten
RN2901(T5L,F,T)	Toshiba Semiconductor and Storage	TRANS 2PNP PREBIAS 0.2W US6	Einzelheiten
RN2901FE(TE85L,F)	Toshiba Semiconductor and Storage	TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ES6	Einzelheiten
RN2902	TOSHIBA	RN2902 TOSHIBA SOT-36.. New Original Stocks	Einzelheiten
RN2902(T5L,F,T)	Toshiba Semiconductor and Storage	TRANS 2PNP PREBIAS 0.2W US6	Einzelheiten
RN2902,LF	Toshiba Semiconductor and Storage	TRANS 2PNP PREBIAS 0.2W US6	Einzelheiten
RN2902,LF(CT	Toshiba Semiconductor and Storage	TRANS 2PNP PREBIAS 0.2W US6	Einzelheiten
RN2902FE(T5L,F,T)	Toshiba Semiconductor and Storage	TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ES6	Einzelheiten
RN2902FE,LF(CT	Toshiba Semiconductor and Storage	TRANS 2PNP PREBIAS 0.2W ES6	Einzelheiten
RN2903,LF	Toshiba Semiconductor and Storage	TRANS 2PNP PREBIAS 0.2W US6	Einzelheiten