| Artikelnummer | RN2115,LF(CT |
|---|---|
| Teilstatus | Active |
| Transistor-Typ | PNP - Pre-Biased |
| Aktuell - Sammler (Ic) (Max) | 100mA |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.) | 50V |
| Resistor - Base (R1) | 2.2 kOhms |
| Resistor - Emitter Base (R2) | 10 kOhms |
| Gleichstromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 50 @ 10mA, 5V |
| Vce Sättigung (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 250µA, 5mA |
| Aktuell - Kollektor Cutoff (Max) | 500nA |
| Frequenz - Übergang | 200MHz |
| Leistung max | 100mW |
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Paket / Fall | SC-75, SOT-416 |
| Lieferantengerätepaket | SSM |
| Gewicht | - |
| Ursprungsland | - |
| Bild | Artikelnummer | Hersteller | Beschreibung | Aussicht |
|---|---|---|---|---|
 |
RN21-I/RM | Microchip Technology | RF TXRX MODULE BLUETOOTH | Einzelheiten |
|
RN2101(T5L,F,T) | Toshiba Semiconductor and Storage | TRANS PREBIAS PNP 0.1W SSM | Einzelheiten |
|
RN2101,LF(CT | Toshiba Semiconductor and Storage | TRANS PREBIAS PNP 0.1W SSM | Einzelheiten |
 |
RN2101ACT(TPL3) | Toshiba Semiconductor and Storage | TRANS PREBIAS PNP 0.1W CST3 | Einzelheiten |
|
RN2101CT(TPL3) | Toshiba Semiconductor and Storage | TRANS PREBIAS PNP 0.05W CST3 | Einzelheiten |
 |
RN2102 | TOSHIBA | RN2102 TOSHIBA SOT-52.. New Original Stocks | Einzelheiten |
|
RN2102,LF(CT | Toshiba Semiconductor and Storage | TRANS PREBIAS PNP 0.1W SSM | Einzelheiten |
|
RN2102ACT(TPL3) | Toshiba Semiconductor and Storage | TRANS PREBIAS PNP 0.1W CST3 | Einzelheiten |
|
RN2102CT(TPL3) | Toshiba Semiconductor and Storage | TRANS PREBIAS PNP 0.05W CST3 | Einzelheiten |
|
RN2102MFV | ORIGINAL | RN2102MFV ORIGINAL O-NEW New Original Stocks | Einzelheiten |
