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Zuhause › Produktkategorien › Diskrete Halbleiterprodukte › Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzeln, mit Vorspannung › RN2108ACT(TPL3)
RN2108ACT(TPL3)

RN2108ACT(TPL3) - Toshiba Semiconductor and Storage

Artikelnummer
RN2108ACT(TPL3)
Hersteller
Toshiba Semiconductor and Storage
Kurze Beschreibung
TRANS PREBIAS PNP 0.1W CST3
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt Online-Ansicht
RN2108ACT(TPL3) PDF-Online-Browsing
Datenblatt PDF herunterladen
-
Kategorie
Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzeln, mit Vorspannung
Lieferzeit
1 Day
Datumscode
New
Bestandsmenge
4094 pcs
Referenzpreis
USD 0/pcs
Unser Preis
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RN2108ACT(TPL3) detaillierte Beschreibung

Artikelnummer RN2108ACT(TPL3)
Teilstatus Active
Transistor-Typ PNP - Pre-Biased
Aktuell - Sammler (Ic) (Max) 80mA
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.) 50V
Widerstand - Basis (R1) (Ohm) 22k
Widerstand - Emitter Basis (R2) (Ohm) 47k
Gleichstromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce 80 @ 10mA, 5V
Vce Sättigung (Max) @ Ib, Ic 150mV @ 250µA, 5mA
Aktuell - Kollektor Cutoff (Max) 500nA
Frequenz - Übergang -
Leistung max 100mW
Befestigungsart Surface Mount
Paket / Fall SC-101, SOT-883
Lieferantengerätepaket CST3
Gewicht -
Ursprungsland -

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