| Artikelnummer | RN1968(TE85L,F) |
|---|---|
| Teilstatus | Active |
| Transistor-Typ | 2 NPN - Pre-Biased (Dual) |
| Aktuell - Sammler (Ic) (Max) | 100mA |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.) | 50V |
| Widerstand - Basis (R1) (Ohm) | 22k |
| Widerstand - Emitter Basis (R2) (Ohm) | 47k |
| Gleichstromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 80 @ 10mA, 5V |
| Vce Sättigung (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 250µA, 5mA |
| Aktuell - Kollektor Cutoff (Max) | 100nA (ICBO) |
| Frequenz - Übergang | 250MHz |
| Leistung max | 200mW |
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Paket / Fall | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
| Lieferantengerätepaket | US6 |
| Gewicht | - |
| Ursprungsland | - |
| Bild | Artikelnummer | Hersteller | Beschreibung | Aussicht |
|---|---|---|---|---|
|
RN1961(TE85L,F) | Toshiba Semiconductor and Storage | TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W US6 | Einzelheiten |
 |
RN1961FE(TE85L,F) | Toshiba Semiconductor and Storage | TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6 | Einzelheiten |
 |
RN1962FE | TOSHIBA | RN1962FE TOSHIBA SOT23-.. New Original Stocks | Einzelheiten |
|
RN1962FE(TE85L,F) | Toshiba Semiconductor and Storage | TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6 | Einzelheiten |
|
RN1962TE85LF | Toshiba Semiconductor and Storage | TRANS 2NPN PREBIAS 0.5W US6 | Einzelheiten |
|
RN1963(TE85L,F) | Toshiba Semiconductor and Storage | TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W US6 | Einzelheiten |
|
RN1963FE(TE85L,F) | Toshiba Semiconductor and Storage | TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6 | Einzelheiten |
|
RN1964 | TOSHIBA | RN1964 TOSHIBA SOT-36.. New Original Stocks | Einzelheiten |
|
RN1964FE(TE85L,F) | Toshiba Semiconductor and Storage | TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6 | Einzelheiten |
|
RN1964TE85LF | Toshiba Semiconductor and Storage | TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W US6 | Einzelheiten |
