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Zuhause › Produktkategorien › Diskrete Halbleiterprodukte › Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, mit Vorspannung › RN1905(T5L,F,T)
RN1905(T5L,F,T)

RN1905(T5L,F,T) - Toshiba Semiconductor and Storage

Artikelnummer
RN1905(T5L,F,T)
Hersteller
Toshiba Semiconductor and Storage
Kurze Beschreibung
TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W US6
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt Online-Ansicht
RN1905(T5L,F,T) PDF-Online-Browsing
Datenblatt PDF herunterladen
RN1905(T5L,F,T).pdf
Kategorie
Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, mit Vorspannung
Lieferzeit
1 Day
Datumscode
New
Bestandsmenge
3536 pcs
Referenzpreis
USD 0/pcs
Unser Preis
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Bitte füllen Sie das folgende Formular aus, um ein Angebot für anzufordern RN1905(T5L,F,T)

RN1905(T5L,F,T) detaillierte Beschreibung

Artikelnummer RN1905(T5L,F,T)
Teilstatus Active
Transistor-Typ 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Aktuell - Sammler (Ic) (Max) 100mA
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.) 50V
Widerstand - Basis (R1) (Ohm) 2.2k
Widerstand - Emitter Basis (R2) (Ohm) 47k
Gleichstromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce 80 @ 10mA, 5V
Vce Sättigung (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 250µA, 5mA
Aktuell - Kollektor Cutoff (Max) 500nA
Frequenz - Übergang 250MHz
Leistung max 200mW
Befestigungsart Surface Mount
Paket / Fall 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Lieferantengerätepaket US6
Gewicht -
Ursprungsland -

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