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Zuhause › Produktkategorien › Diskrete Halbleiterprodukte › Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzeln, mit Vorspannung › RN1110MFV,L3F
RN1110MFV,L3F

RN1110MFV,L3F - Toshiba Semiconductor and Storage

Artikelnummer
RN1110MFV,L3F
Hersteller
Toshiba Semiconductor and Storage
Kurze Beschreibung
TRANS PREBIAS NPN 0.15W VESM
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt Online-Ansicht
RN1110MFV,L3F PDF-Online-Browsing
Datenblatt PDF herunterladen
RN1110MFV,L3F.pdf
Kategorie
Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzeln, mit Vorspannung
Lieferzeit
1 Day
Datumscode
New
Bestandsmenge
889224 pcs
Referenzpreis
USD 0.029/pcs
Unser Preis
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RN1110MFV,L3F detaillierte Beschreibung

Artikelnummer RN1110MFV,L3F
Teilstatus Active
Transistor-Typ NPN - Pre-Biased
Aktuell - Sammler (Ic) (Max) 100mA
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.) 50V
Widerstand - Basis (R1) (Ohm) 4.7k
Widerstand - Emitter Basis (R2) (Ohm) -
Gleichstromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce 120 @ 1mA, 5V
Vce Sättigung (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 500µA, 5mA
Aktuell - Kollektor Cutoff (Max) 100nA (ICBO)
Frequenz - Übergang -
Leistung max 150mW
Befestigungsart Surface Mount
Paket / Fall SOT-723
Lieferantengerätepaket VESM
Gewicht -
Ursprungsland -

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Bild Artikelnummer Hersteller Beschreibung Aussicht
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