RN1109MFV,L3F

RN1109MFV,L3F - Toshiba Semiconductor and Storage

Artikelnummer
RN1109MFV,L3F
Hersteller
Toshiba Semiconductor and Storage
Kurze Beschreibung
TRANS PREBIAS NPN 50V 500NA VESM
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
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RN1109MFV,L3F PDF-Online-Browsing
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Kategorie
Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzeln, mit Vorspannung
Lieferzeit
1 Day
Datumscode
New
Bestandsmenge
3807 pcs
Referenzpreis
USD 0/pcs
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RN1109MFV,L3F detaillierte Beschreibung

Artikelnummer RN1109MFV,L3F
Teilstatus Active
Transistor-Typ NPN - Pre-Biased
Aktuell - Sammler (Ic) (Max) 100mA
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.) 50V
Widerstand - Basis (R1) (Ohm) 47k
Widerstand - Emitter Basis (R2) (Ohm) 22k
Gleichstromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce 70 @ 10mA, 5V
Vce Sättigung (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 500µA, 5mA
Aktuell - Kollektor Cutoff (Max) 500nA
Frequenz - Übergang -
Leistung max 150mW
Befestigungsart Surface Mount
Paket / Fall SOT-723
Lieferantengerätepaket VESM
Gewicht -
Ursprungsland -

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