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Zuhause › Produktkategorien › Diskrete Halbleiterprodukte › Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzeln, mit Vorspannung › RN1103,LF(CT
RN1103,LF(CT

RN1103,LF(CT - Toshiba Semiconductor and Storage

Artikelnummer
RN1103,LF(CT
Hersteller
Toshiba Semiconductor and Storage
Kurze Beschreibung
TRANS PREBIAS NPN 0.1W SSM
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt Online-Ansicht
RN1103,LF(CT PDF-Online-Browsing
Datenblatt PDF herunterladen
RN1103,LF(CT.pdf
Kategorie
Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzeln, mit Vorspannung
Lieferzeit
1 Day
Datumscode
New
Bestandsmenge
7500 pcs
Referenzpreis
USD 0.0362/pcs
Unser Preis
Senden Sie per E-Mail: [email protected]

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RN1103,LF(CT detaillierte Beschreibung

Artikelnummer RN1103,LF(CT
Teilstatus Active
Transistor-Typ NPN - Pre-Biased
Aktuell - Sammler (Ic) (Max) 100mA
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.) 50V
Widerstand - Basis (R1) (Ohm) 22k
Widerstand - Emitter Basis (R2) (Ohm) 22k
Gleichstromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce 70 @ 10mA, 5V
Vce Sättigung (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 250µA, 5mA
Aktuell - Kollektor Cutoff (Max) 500nA
Frequenz - Übergang 250MHz
Leistung max 100mW
Befestigungsart Surface Mount
Paket / Fall SC-75, SOT-416
Lieferantengerätepaket SSM
Gewicht -
Ursprungsland -

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