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Zuhause › Produktkategorien › Diskrete Halbleiterprodukte › Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays › HN4A51JTE85LF
HN4A51JTE85LF

HN4A51JTE85LF - Toshiba Semiconductor and Storage

Artikelnummer
HN4A51JTE85LF
Hersteller
Toshiba Semiconductor and Storage
Kurze Beschreibung
TRANS 2PNP 120V 0.1A SMV
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt Online-Ansicht
HN4A51JTE85LF PDF-Online-Browsing
Datenblatt PDF herunterladen
-
Kategorie
Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays
Lieferzeit
1 Day
Datumscode
New
Bestandsmenge
15000 pcs
Referenzpreis
USD 0.1299/pcs
Unser Preis
Senden Sie per E-Mail: [email protected]

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HN4A51JTE85LF detaillierte Beschreibung

Artikelnummer HN4A51JTE85LF
Teilstatus Active
Transistor-Typ 2 PNP (Dual)
Aktuell - Sammler (Ic) (Max) 100mA
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.) 120V
Vce Sättigung (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 1mA, 10mA
Aktuell - Kollektor Cutoff (Max) 100nA (ICBO)
Gleichstromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce 200 @ 2mA, 6V
Leistung max 300mW
Frequenz - Übergang 100MHz
Betriebstemperatur 150°C (TJ)
Befestigungsart Surface Mount
Paket / Fall SC-74A, SOT-753
Lieferantengerätepaket SMV
Gewicht -
Ursprungsland -

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Bild Artikelnummer Hersteller Beschreibung Aussicht
HN4A51JTE85LF HN4A51JTE85LF Toshiba Semiconductor and Storage TRANS 2PNP 120V 0.1A SMV Einzelheiten
HN4A56JU(TE85L,F) HN4A56JU(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage TRANS 2 PNP 50V 150MA 5TSSOP Einzelheiten