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Zuhause › Produktkategorien › Diskrete Halbleiterprodukte › Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays › HN1C03FU-A(TE85L,F
HN1C03FU-A(TE85L,F

HN1C03FU-A(TE85L,F - Toshiba Semiconductor and Storage

Artikelnummer
HN1C03FU-A(TE85L,F
Hersteller
Toshiba Semiconductor and Storage
Kurze Beschreibung
TRANS 2NPN 20V 0.3A US6
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt Online-Ansicht
HN1C03FU-A(TE85L,F PDF-Online-Browsing
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-
Kategorie
Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays
Lieferzeit
1 Day
Datumscode
New
Bestandsmenge
7500 pcs
Referenzpreis
USD 0.1265/pcs
Unser Preis
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HN1C03FU-A(TE85L,F detaillierte Beschreibung

Artikelnummer HN1C03FU-A(TE85L,F
Teilstatus Active
Transistor-Typ 2 NPN (Dual)
Aktuell - Sammler (Ic) (Max) 300mA
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.) 20V
Vce Sättigung (Max) @ Ib, Ic 100mV @ 3mA, 30mA
Aktuell - Kollektor Cutoff (Max) 100nA (ICBO)
Gleichstromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce 200 @ 4mA, 2V
Leistung max 200mW
Frequenz - Übergang 30MHz
Betriebstemperatur 150°C (TJ)
Befestigungsart Surface Mount
Paket / Fall 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Lieferantengerätepaket US6
Gewicht -
Ursprungsland -

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