HN1B04FE-GR,LF

HN1B04FE-GR,LF - Toshiba Semiconductor and Storage

Artikelnummer
HN1B04FE-GR,LF
Hersteller
Toshiba Semiconductor and Storage
Kurze Beschreibung
TRANS NPN/PNP 50V 0.15A ES6
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
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Kategorie
Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays
Lieferzeit
1 Day
Datumscode
New
Bestandsmenge
10000 pcs
Referenzpreis
USD 0.0374/pcs
Unser Preis
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HN1B04FE-GR,LF detaillierte Beschreibung

Artikelnummer HN1B04FE-GR,LF
Teilstatus Active
Transistor-Typ NPN, PNP
Aktuell - Sammler (Ic) (Max) 150mA
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.) 50V
Vce Sättigung (Max) @ Ib, Ic 250mV @ 10mA, 100mA
Aktuell - Kollektor Cutoff (Max) 100nA (ICBO)
Gleichstromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce 200 @ 2mA, 6V
Leistung max 100mW
Frequenz - Übergang 80MHz
Betriebstemperatur 150°C (TJ)
Befestigungsart Surface Mount
Paket / Fall SOT-563, SOT-666
Lieferantengerätepaket ES6
Gewicht -
Ursprungsland -

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