2SK4017(Q)

2SK4017(Q) - Toshiba Semiconductor and Storage

Artikelnummer
2SK4017(Q)
Hersteller
Toshiba Semiconductor and Storage
Kurze Beschreibung
MOSFET N-CH 60V 5A PW-MOLD2
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
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Kategorie
Transistoren - FETs, MOSFET - Einzeln
Lieferzeit
1 Day
Datumscode
New
Bestandsmenge
3942 pcs
Referenzpreis
USD 0/pcs
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2SK4017(Q) detaillierte Beschreibung

Artikelnummer 2SK4017(Q)
Teilstatus Active
FET Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain auf Source-Spannung (Vdss) 60V
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C 5A (Ta)
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein) 4V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 2.5V @ 1mA
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs 15nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 730pF @ 10V
Vgs (Max) ±20V
FET-Eigenschaft -
Verlustleistung (Max) 20W (Tc)
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs 100 mOhm @ 2.5A, 10V
Betriebstemperatur 150°C (TJ)
Befestigungsart Through Hole
Lieferantengerätepaket PW-MOLD2
Paket / Fall TO-251-3 Stub Leads, IPak
Gewicht -
Ursprungsland -

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