2SK1829TE85LF

2SK1829TE85LF - Toshiba Semiconductor and Storage

Artikelnummer
2SK1829TE85LF
Hersteller
Toshiba Semiconductor and Storage
Kurze Beschreibung
MOSFET N-CH 20V 0.05A USM
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
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Kategorie
Transistoren - FETs, MOSFET - Einzeln
Lieferzeit
1 Day
Datumscode
New
Bestandsmenge
15000 pcs
Referenzpreis
USD 0.077/pcs
Unser Preis
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2SK1829TE85LF detaillierte Beschreibung

Artikelnummer 2SK1829TE85LF
Teilstatus Active
FET Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain auf Source-Spannung (Vdss) 20V
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C 50mA (Ta)
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein) 2.5V
Vgs (th) (Max) @ Id -
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs -
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 5.5pF @ 3V
Vgs (Max) 10V
FET-Eigenschaft -
Verlustleistung (Max) 100mW (Ta)
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs 40 Ohm @ 10mA, 2.5V
Betriebstemperatur 150°C (TJ)
Befestigungsart Surface Mount
Lieferantengerätepaket SC-70
Paket / Fall SC-70, SOT-323
Gewicht -
Ursprungsland -

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