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Zuhause › Produktkategorien › Diskrete Halbleiterprodukte › Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzeln › 2SC1627A-Y,PASF(M
2SC1627A-Y,PASF(M

2SC1627A-Y,PASF(M - Toshiba Semiconductor and Storage

Artikelnummer
2SC1627A-Y,PASF(M
Hersteller
Toshiba Semiconductor and Storage
Kurze Beschreibung
TRANS NPN 400MA 80V TO226-3
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt Online-Ansicht
2SC1627A-Y,PASF(M PDF-Online-Browsing
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2SC1627A-Y,PASF(M.pdf
Kategorie
Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzeln
Lieferzeit
1 Day
Datumscode
New
Bestandsmenge
3502 pcs
Referenzpreis
USD 0/pcs
Unser Preis
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2SC1627A-Y,PASF(M detaillierte Beschreibung

Artikelnummer 2SC1627A-Y,PASF(M
Teilstatus Last Time Buy
Transistor-Typ NPN
Aktuell - Sammler (Ic) (Max) 400mA
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.) 80V
Vce Sättigung (Max) @ Ib, Ic 400mV @ 20mA, 200A
Aktuell - Kollektor Cutoff (Max) 100nA (ICBO)
Gleichstromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce 70 @ 50mA, 2V
Leistung max 800mW
Frequenz - Übergang 100MHz
Betriebstemperatur 150°C (TJ)
Befestigungsart Through Hole
Paket / Fall TO-226-3, TO-92-3 Long Body
Lieferantengerätepaket TO-92MOD
Gewicht -
Ursprungsland -

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