2SA1955FVBTPL3Z

2SA1955FVBTPL3Z - Toshiba Semiconductor and Storage

Artikelnummer
2SA1955FVBTPL3Z
Hersteller
Toshiba Semiconductor and Storage
Kurze Beschreibung
TRANS PNP 12V 0.4A VESM
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt Online-Ansicht
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Kategorie
Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzeln
Lieferzeit
1 Day
Datumscode
New
Bestandsmenge
20000 pcs
Referenzpreis
USD 0.0737/pcs
Unser Preis
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2SA1955FVBTPL3Z detaillierte Beschreibung

Artikelnummer 2SA1955FVBTPL3Z
Teilstatus Obsolete
Transistor-Typ PNP
Aktuell - Sammler (Ic) (Max) 400mA
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.) 12V
Vce Sättigung (Max) @ Ib, Ic 250mV @ 10mA, 200mA
Aktuell - Kollektor Cutoff (Max) 100nA (ICBO)
Gleichstromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce 300 @ 10mA, 2V
Leistung max 100mW
Frequenz - Übergang 130MHz
Betriebstemperatur 150°C (TJ)
Befestigungsart Surface Mount
Paket / Fall SOT-723
Lieferantengerätepaket VESM
Gewicht -
Ursprungsland -

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