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Zuhause › Produktkategorien › Diskrete Halbleiterprodukte › Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzeln › 2SA1163-GR,LF
2SA1163-GR,LF

2SA1163-GR,LF - Toshiba Semiconductor and Storage

Artikelnummer
2SA1163-GR,LF
Hersteller
Toshiba Semiconductor and Storage
Kurze Beschreibung
TRANS PNP 120V 0.1A SMINI
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt Online-Ansicht
2SA1163-GR,LF PDF-Online-Browsing
Datenblatt PDF herunterladen
2SA1163-GR,LF.pdf
Kategorie
Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzeln
Lieferzeit
1 Day
Datumscode
New
Bestandsmenge
22500 pcs
Referenzpreis
USD 0.0531/pcs
Unser Preis
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2SA1163-GR,LF detaillierte Beschreibung

Artikelnummer 2SA1163-GR,LF
Teilstatus Active
Transistor-Typ PNP
Aktuell - Sammler (Ic) (Max) 100mA
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.) 120V
Vce Sättigung (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 1mA, 10mA
Aktuell - Kollektor Cutoff (Max) 100nA (ICBO)
Gleichstromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce 200 @ 2mA, 6V
Leistung max 150mW
Frequenz - Übergang 100MHz
Betriebstemperatur 125°C (TJ)
Befestigungsart Surface Mount
Paket / Fall TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Lieferantengerätepaket S-Mini
Gewicht -
Ursprungsland -

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