1SV311(TPH3,F) - Toshiba Semiconductor and Storage

Artikelnummer	1SV311(TPH3,F)
Teilstatus	Active
Kapazität @ Vr, F	5.45pF @ 4V, 1MHz
Kapazitätsverhältnis	2.1
Kapazitätsverhältniszustand	C1/C4
Spannung - Spitzenrücklauf (Max)	10V
Dioden-Typ	Single
Q @ Vr, F	-
Betriebstemperatur	125°C (TJ)
Befestigungsart	Surface Mount
Paket / Fall	SC-79, SOD-523
Lieferantengerätepaket	ESC
Gewicht	-
Ursprungsland	-

Artikelnummer	Hersteller	Beschreibung	Aussicht
1SV310	KEXIN	Silicon Epitaxial Planar Diode	Einzelheiten
1SV310TPH3F	Toshiba Semiconductor and Storage	DIODE VARACTOR 10V USC	Einzelheiten
1SV311	TOSHIBA	1SV311 TOSHIBA SOD523 New Original Stocks	Einzelheiten
1SV311(TPH3,F)	Toshiba Semiconductor and Storage	DIODE VARACTOR 10V ESC	Einzelheiten
1SV313	KEXIN	Silicon Epitaxial Planar Diode	Einzelheiten
1SV314	TOSHIBA	1SV314 TOSHIBA SOT-52.. New Original Stocks	Einzelheiten
1SV314(TPL3,F)	Toshiba Semiconductor and Storage	DIODE VARACTOR 10V SINGLE ESC	Einzelheiten
1SV315-TL-E	ON Semiconductor	DIODE PIN 50V 50MA DUAL MCP	Einzelheiten