XP161A11A1PR-G detaillierte Beschreibung
Artikelnummer |
XP161A11A1PR-G |
Teilstatus |
Active |
FET Typ |
N-Channel |
Technologie |
MOSFET (Metal Oxide) |
Drain auf Source-Spannung (Vdss) |
30V |
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C |
4A (Ta) |
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein) |
4.5V, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id |
- |
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs |
- |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds |
270pF @ 10V |
Vgs (Max) |
±20V |
FET-Eigenschaft |
- |
Verlustleistung (Max) |
2W (Ta) |
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs |
65 mOhm @ 2A, 10V |
Betriebstemperatur |
150°C (TJ) |
Befestigungsart |
Surface Mount |
Lieferantengerätepaket |
SOT-89 |
Paket / Fall |
TO-243AA |
Gewicht |
- |
Ursprungsland |
- |
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