| Artikelnummer | CSD25501F3 |
|---|---|
| Teilstatus | Active |
| FET Typ | P-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain auf Source-Spannung (Vdss) | 20V |
| Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C | 3.6A (Ta) |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 1.8V, 4.5V |
| Rds Ein (Max) @ Id, Vgs | 76 mOhm @ 400mA, 4.5V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 1.05V @ 250µA |
| Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 1.33nC @ 4.5V |
| Vgs (Max) | -20V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 385pF @ 10V |
| FET-Eigenschaft | - |
| Verlustleistung (Max) | 500mW (Ta) |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Lieferantengerätepaket | 3-LGA (0.73x0.64) |
| Paket / Fall | 3-XFLGA |
| Gewicht | - |
| Ursprungsland | - |
| Bild | Artikelnummer | Hersteller | Beschreibung | Aussicht |
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CSD20030 | EXSHINE | ZERO RECOVERY RECTIFIER | Einzelheiten |
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CSD20060 | EXSHINE | ZERO RECOVERY RECTIFIER | Einzelheiten |
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CSD20120D | EXSHINE | RECTIFIER | Einzelheiten |
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CSD22204WT | Texas Instruments | MOSFET P-CH 8V 9DSBGA | Einzelheiten |
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