| Artikelnummer | CSD25304W1015T |
|---|---|
| Teilstatus | Active |
| FET Typ | P-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain auf Source-Spannung (Vdss) | 20V |
| Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C | 3A (Ta) |
| Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein) | 1.8V, 4.5V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 1.15V @ 250µA |
| Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 4.4nC @ 4.5V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 595pF @ 10V |
| Vgs (Max) | ±8V |
| FET-Eigenschaft | - |
| Verlustleistung (Max) | 750mW (Ta) |
| Rds Ein (Max) @ Id, Vgs | 32.5 mOhm @ 1.5A, 4.5V |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Lieferantengerätepaket | 6-DSBGA |
| Paket / Fall | 6-UFBGA, DSBGA |
| Gewicht | - |
| Ursprungsland | - |
| Bild | Artikelnummer | Hersteller | Beschreibung | Aussicht |
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CSD25201W15 | Texas Instruments | MOSFET P-CH 20V 4A 9DSBGA | Einzelheiten |
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