CSD18542KTTT

CSD18542KTTT - Texas Instruments

Artikelnummer
CSD18542KTTT
Hersteller
Texas Instruments
Kurze Beschreibung
MOSFET N-CH 60V 200A D2PAK
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
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Kategorie
Transistoren - FETs, MOSFET - Einzeln
Lieferzeit
1 Day
Datumscode
New
Bestandsmenge
2500 pcs
Referenzpreis
USD 1.9636/pcs
Unser Preis
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CSD18542KTTT detaillierte Beschreibung

Artikelnummer CSD18542KTTT
Teilstatus Active
FET Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain auf Source-Spannung (Vdss) 60V
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C 200A (Ta), 170A (Tc)
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein) 4.5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 2.2V @ 250µA
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs 57nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 5070pF @ 30V
Vgs (Max) ±20V
FET-Eigenschaft -
Verlustleistung (Max) 250W (Tc)
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs 4 mOhm @ 100A, 10V
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart -
Lieferantengerätepaket DDPAK/TO-263-3
Paket / Fall TO-263-4, D²Pak (3 Leads + Tab), TO-263AA
Gewicht -
Ursprungsland -

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