CSD18510KTTT detaillierte Beschreibung
Artikelnummer |
CSD18510KTTT |
Teilstatus |
Active |
FET Typ |
N-Channel |
Technologie |
MOSFET (Metal Oxide) |
Drain auf Source-Spannung (Vdss) |
40V |
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C |
200A |
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein) |
4.5V, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id |
2.3V @ 250µA |
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs |
132nC @ 10V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds |
11400pF @ 15V |
Vgs (Max) |
±20V |
FET-Eigenschaft |
- |
Verlustleistung (Max) |
188W (Tc) |
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs |
2.6 mOhm @ 100A, 10V |
Betriebstemperatur |
-55°C ~ 175°C (TJ) |
Befestigungsart |
Surface Mount |
Lieferantengerätepaket |
DDPAK/TO-263-3 |
Paket / Fall |
TO-263-4, D²Pak (3 Leads + Tab), TO-263AA |
Gewicht |
- |
Ursprungsland |
- |
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