CSD17318Q2 detaillierte Beschreibung
Artikelnummer |
CSD17318Q2 |
Teilstatus |
Active |
FET Typ |
N-Channel |
Technologie |
MOSFET (Metal Oxide) |
Drain auf Source-Spannung (Vdss) |
30V |
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C |
25A (Tc) |
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) |
2.5V, 8V |
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs |
15.1 mOhm @ 8A, 8V |
Vgs (th) (Max) @ Id |
1.2V @ 250µA |
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs |
6nC @ 4.5V |
Vgs (Max) |
±10V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds |
879pF @ 15V |
FET-Eigenschaft |
- |
Verlustleistung (Max) |
16W (Tc) |
Betriebstemperatur |
-55°C ~ 150°C (TJ) |
Befestigungsart |
Surface Mount |
Lieferantengerätepaket |
6-WSON (2x2) |
Paket / Fall |
6-WDFN Exposed Pad |
Gewicht |
- |
Ursprungsland |
- |
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