TSM60N380CH C5G - Taiwan Semiconductor Corporation

Artikelnummer	TSM60N380CH C5G
Teilstatus	Not For New Designs
FET Typ	N-Channel
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain auf Source-Spannung (Vdss)	600V
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C	11A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs	380 mOhm @ 5.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs	20.5nC @ 10V
Vgs (Max)	±30V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds	1040pF @ 100V
FET-Eigenschaft	-
Verlustleistung (Max)	125W (Tc)
Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart	Through Hole
Lieferantengerätepaket	TO-251 (IPAK)
Paket / Fall	TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Gewicht	-
Ursprungsland	-

Artikelnummer	Hersteller	Beschreibung	Aussicht
TSM600-250-2	Littelfuse Inc.	POLYSWITCH 0.250A HOLD SMD	Einzelheiten
TSM600-250-RA-2	Littelfuse Inc.	POLYSWITCH 0.250A HOLD SMD	Einzelheiten
TSM600-250F-2	Littelfuse Inc.	POLYSWITCH 250V 250MA HOLD SMD	Einzelheiten
TSM600-250F-RA-2	Littelfuse Inc.	POLYSWITCH 250V 250MA HOLD SMD	Einzelheiten
TSM600-400F-2	Littelfuse Inc.	POLYSWITCH PTC RESET .400A	Einzelheiten
TSM600N25ECH C5G	Taiwan Semiconductor Corporation	MOSFET N-CHANNEL 250V 8A TO251	Einzelheiten
TSM600P03CS RLG	Taiwan Semiconductor Corporation	MOSFET P-CHANNEL 30V 4.7A 8SOP	Einzelheiten
TSM6025AEUR+	Silicon Labs	IC VREF SERIES 2.5V SOT23-3	Einzelheiten
TSM6025AEUR+T	Silicon Labs	IC VREF SERIES 2.5V SOT23-3	Einzelheiten
TSM6025BEUR+	Silicon Labs	IC VREF SERIES 2.5V SOT23-3	Einzelheiten