TSM300NB06CR RLG

TSM300NB06CR RLG - Taiwan Semiconductor Corporation

Artikelnummer
TSM300NB06CR RLG
Hersteller
Taiwan Semiconductor Corporation
Kurze Beschreibung
MOSFET SINGLE N-CHANNEL TRENCH
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
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Kategorie
Transistoren - FETs, MOSFET - Einzeln
Lieferzeit
1 Day
Datumscode
New
Bestandsmenge
666385 pcs
Referenzpreis
USD 0.24708/pcs
Unser Preis
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TSM300NB06CR RLG detaillierte Beschreibung

Artikelnummer TSM300NB06CR RLG
Teilstatus Active
FET Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain auf Source-Spannung (Vdss) 60V
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C 6A (Ta), 27A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs 30 mOhm @ 6A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 4.5V @ 250µA
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs 18nC @ 10V
Vgs (Max) ±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1110pF @ 30V
FET-Eigenschaft -
Verlustleistung (Max) 3.1W (Ta), 56W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart Surface Mount
Lieferantengerätepaket 8-PDFN (5x6)
Paket / Fall 8-PowerTDFN
Gewicht -
Ursprungsland -

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