TSM2N7000KCT A3G - Taiwan Semiconductor Corporation

Artikelnummer	TSM2N7000KCT A3G
Teilstatus	Active
FET Typ	N-Channel
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain auf Source-Spannung (Vdss)	60V
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C	300mA (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	5V, 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs	5 Ohm @ 100mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2.5V @ 250µA
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs	0.4nC @ 4.5V
Vgs (Max)	±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds	7.32pF @ 25V
FET-Eigenschaft	-
Verlustleistung (Max)	400mW (Ta)
Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart	Through Hole
Lieferantengerätepaket	TO-92
Paket / Fall	TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
Gewicht	-
Ursprungsland	-

Artikelnummer	Hersteller	Beschreibung	Aussicht
TSM2N70	TSC	700V N-Channel Power MOSFET	Einzelheiten
TSM2N7000	TSC	60V N-Channel MOSFET	Einzelheiten
TSM2N7000CT	TSC	60V N-Channel MOSFET	Einzelheiten
TSM2N7000CTA3	TSC	60V N-Channel Enhancement Mode MOSFET	Einzelheiten
TSM2N7000CTB0	TSC	60V N-Channel Enhancement Mode MOSFET	Einzelheiten
TSM2N7000K	TSC	60V N-Channel MOSFET	Einzelheiten
TSM2N7000KCT A3G	Taiwan Semiconductor Corporation	MOSFET N-CHANNEL 60V 300MA TO92	Einzelheiten
TSM2N7000KCT B0G	Taiwan Semiconductor Corporation	MOSFET N-CHANNEL 60V 300MA TO92	Einzelheiten
TSM2N7000KCTA3	TSC	60V N-Channel MOSFET	Einzelheiten
TSM2N7000KCTB0	TSC	60V N-Channel MOSFET	Einzelheiten