| Artikelnummer | TSM2312CX RFG |
|---|---|
| Teilstatus | Active |
| FET Typ | N-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain auf Source-Spannung (Vdss) | 20V |
| Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C | 4.9A (Tc) |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 1.8V, 4.5V |
| Rds Ein (Max) @ Id, Vgs | 33 mOhm @ 4.9A, 4.5V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
| Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 11.2nC @ 4.5V |
| Vgs (Max) | ±8V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 500pF @ 10V |
| FET-Eigenschaft | - |
| Verlustleistung (Max) | 750mW (Ta) |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Lieferantengerätepaket | SOT-23 |
| Paket / Fall | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Gewicht | - |
| Ursprungsland | - |
| Bild | Artikelnummer | Hersteller | Beschreibung | Aussicht |
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TSM2301 | TSC | 20V P-Channel MOSFET | Einzelheiten |
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TSM2301ACX RFG | Taiwan Semiconductor Corporation | MOSFET P-CHANNEL 20V 2.8A SOT23 | Einzelheiten |
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TSM2301BCXRF | TSM | TSM2301BCXRF TSM SOT23-.. New Original Stocks | Einzelheiten |
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