| Artikelnummer | TSM1N45CT A3G |
|---|---|
| Teilstatus | Obsolete |
| FET Typ | N-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain auf Source-Spannung (Vdss) | 450V |
| Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C | 500mA (Tc) |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Rds Ein (Max) @ Id, Vgs | 4.25 Ohm @ 250mA, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4.25V @ 250µA |
| Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 6.5nC @ 10V |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 235pF @ 25V |
| FET-Eigenschaft | - |
| Verlustleistung (Max) | 2W (Tc) |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Befestigungsart | Through Hole |
| Lieferantengerätepaket | TO-92 |
| Paket / Fall | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) |
| Gewicht | - |
| Ursprungsland | - |
| Bild | Artikelnummer | Hersteller | Beschreibung | Aussicht |
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TSM1N45 | TSC | 450V N-Channel Power MOSFET | Einzelheiten |
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TSM1N45CT A3G | Taiwan Semiconductor Corporation | MOSFET N-CH 450V 500MA TO92 | Einzelheiten |
.JPG "TSM1N45CT B0G") |
TSM1N45CT B0G | Taiwan Semiconductor Corporation | MOSFET N-CH 450V 500MA TO92 | Einzelheiten |
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-Exposed-Pad.jpg "TSM1N45DCS RLG") |
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